IGBT新型節能(néng)中頻電源櫃

　　IGBT新型節能(néng)中頻電源櫃的特點：
　　（1）GBT是栅極爲MOS構造，同時兼具MOS管高速、輸入阻抗高、易驅動與GTR的通态壓降小、載流密度大、耐壓高、熱穩定性好(hǎo)、雙極晶體管通态壓降低的優點于一身。工作時由于IGBT的電導調制特性，RN減小很多使得IGBT的通态電阻很低，大約爲VMOS的十分之一，使得IGBT的功耗很低。從簡化等效電路上看，IGBT相當于是用雙極性晶體管與MOSFET組成(chéng)的達林頓結構，相當于一個MOSFET驅動的晶體管。因此，IGBT的通态壓降很低，特别是在大電流的情況下更爲明顯。而由于IGBT的栅極爲MOS構造，因此IGBT的開(kāi)關損耗與可控矽相比非常低。可控矽爲換流關斷型，它的門極隻能(néng)使管子開(kāi)通，不能(néng)使其關斷。管子開(kāi)通後(hòu)，門極就失去了控制能(néng)力，隻能(néng)依靠外部換流使流過(guò)管子的電流下降爲0，或者使管子兩(liǎng)端的電壓反向(xiàng)而關斷。因此可控矽的開(kāi)關損耗非常高，在較高的頻率下使用效率很低。
　　（2）IGBT電源整流部分由6隻二極管擔任，直接整流不斬波，不會(huì)導緻電網的功率因數下降。串聯諧振電路去掉了龐大而笨重的濾波電抗器，減小了損耗，濾波由電容擔任。變頻電路由4隻IGBT模塊構成(chéng)，IGBT的導通損耗比可控矽低，而關斷損耗大大低于可控矽的開(kāi)關損耗，因此變頻電流的損耗大約在3%。該電路的功率調節有兩(liǎng)種(zhǒng)方式：
　　1、改變變頻電路的工作頻率（變頻），
　　2、改變IGBT的導通時間（調寬）。輸出電路的特征是感應線圈與補償電容串聯構成(chéng)串聯諧振電路。此電路的特征是流過(guò)IGBT的電流與流過(guò)感應線圈及補償電容的電流相等，而感應線圈上的電壓是整流後(hòu)直流電壓的3~10倍（串聯諧振電路的特征是振蕩線圈的電壓是直流電壓的Q倍）。感應線圈上的功率P=感應線圈上的電壓（V）×流過(guò)感應線圈的電流（I）。在相同的功率與相同的感應線圈的情況下，串聯諧振感應線圈的損耗最多隻有并聯諧振感應線圈的91。因此，串聯諧振輸出電路的損耗約占整機功率的5%-10%，所以串聯諧振變頻的中頻感應加熱設備的整機效率爲80%-90%。在串聯諧振電路中，感應線圈上中頻電壓的高低與變頻功率器件的耐壓無關，隻要感應線圈的絕緣允許，提高中頻電壓就可以進(jìn)一步降低感應線圈的損耗，整機效率就會(huì)進(jìn)一步提高，這(zhè)和輸電爲什麼(me)要用高壓輸送是一個道(dào)理。
　　（3）IGBT串聯感應加熱設備調節功率采用逆變側調節方式，整流電路采用二極管，整流的功率因數爲100%，不需要在配電櫃中另外配置設備。